
विवरण
सीबीएम-120-यूवी अल्ट्रावॉयलेट चिप ऑन बोर्ड एलईडी
ल्यूमिनस एलईडी डिवाइस प्रौद्योगिकी, चिप पैकेजिंग और थर्मल प्रबंधन में नवाचारों से लाभान्वित होते हैं। प्रौद्योगिकियों का यह सूट इंजीनियरों और सिस्टम डिजाइनरों को उच्च शक्ति और दक्षता दोनों में समाधान विकसित करने की स्वतंत्रता देता है।
विशेषताएँ
• 12 मिमी2, 4:3 पहलू अनुपात के सतह उत्सर्जक क्षेत्र के साथ मोज़ेक ऐरे यूवी एलईडी चिपसेट
• चिप ऑन बोर्ड पैकेज जटिल असेंबली प्रक्रिया की आवश्यकता को समाप्त करता है
• उच्च शक्ति घनत्व और समान उत्सर्जन के लिए वर्टिकल चिप यूवी एलईडी तकनीक
• यूवीए तरंग दैर्ध्य की विस्तृत श्रृंखला: 365 एनएम-405 एनएम
• उच्च तापीय चालकता सामान्य कैथोड कॉपर कोरबोर्ड पैकेज
• छोटे {{1}एटेंड्यू सिस्टम में कुशल युग्मन के लिए कम {{0}प्रोफ़ाइल विंडो
• 24 ए तक ड्राइव करंट पर संचालित किया जा सकता है
• पर्यावरण के अनुकूल: पहुंच, RoHS और हलोजन के अनुरूप
अनुप्रयोग
• 3डी प्रिंटिंग और एडिटिव मैन्युफैक्चरिंग
• मशीन विजन
• मास्कलेस लिथोग्राफी
• इलाज
• स्याही
• कोटिंग्स
• चिपकने वाले
• चिकित्सा और वैज्ञानिक उपकरण
पार्ट नंबर ऑर्डर करना
|
तरंग दैर्ध्य रेंज |
रेडियोमेट्रिक फ्लक्स |
तरंग दैर्ध्य डिब्बे |
आदेश भाग क्रमांक1,2 |
|
|
बिन किट फ्लक्स कोड |
न्यूनतम. फ्लक्स |
|||
|
365-375 |
I |
9.1 |
365, 370 |
सीबीएम-120-यूवी-एक्स31-आई365-22 |
|
380-390 |
M |
13.3 |
380, 385 |
सीबीएम-120-यूवी-एक्स31-एम380-22 |
|
400-410 |
L |
12.1 |
400, 405 |
सीबीएम-120-यूवी-एक्स31-एल400-22 |
बिजली के डिब्बे3
|
रंग |
शक्ति फ्लक्स बिन (सीमांत बल) |
न्यूनतम फ्लक्स (W) |
अधिकतम फ्लक्स (W) |
|
यूवी |
I |
9.1 |
10.0 |
|
J |
10.0 |
11.0 |
|
|
K |
11.0 |
12.1 |
|
|
L |
12.1 |
13.3 |
|
|
M |
13.3 |
14.6 |
|
|
N |
14.6 |
16.1 |
|
|
P |
16.1 |
17.7 |
|
|
Q |
17.7 |
19.5 |
चोटी तरंग दैर्ध्य डिब्बे
|
रंग |
तरंग दैर्ध्य बिन (डब्ल्यूडब्ल्यूडब्ल्यू) |
न्यूनतम वेवलेंथ (एनएम) |
अधिकतम वेवलेंथ (एनएम) |
|
यूवी |
365 |
365 |
370 |
|
370 |
370 |
375 |
|
|
380 |
380 |
385 |
|
|
385 |
385 |
390 |
|
|
400 |
400 |
405 |
|
|
405 |
405 |
410 |
ऑप्टिकल & विद्युतीय विशेषताएँ (Tएच = 25 डिग्री )
|
यूवी |
|||||
|
पैरामीटर |
प्रतीक |
मान 5 |
इकाई |
||
|
पीक वेवलेंथ रेंज |
λ |
365-375 |
380-390 |
400-410 |
एनएम |
|
बिनिंग 6 के लिए करंट का परीक्षण करें |
I |
9.0 |
9.0 |
9.0 |
A |
|
शिखर तरंगदैर्घ्य प्रकार. |
λp |
369 |
385 |
405 |
एनएम |
|
फॉरवर्ड वोल्टेज |
वीएफ मि |
3.2 |
2.9 |
2.9 |
V |
|
वी.एफ |
3.9 |
3.5 |
3.3 |
V |
|
|
वीएफ अधिकतम |
4.3 |
3.7 |
3.7 |
V |
|
|
रेडियोमेट्रिक फ्लक्स 7 |
Φटाइप |
10.3 |
14.4 |
12.8 |
W |
|
Φ के 50% पर एफडब्ल्यूएचएम |
Δλ1/2 |
15 |
15 |
15 |
एनएम |
|
पैरामीटर |
प्रतीक |
मान |
इकाई |
|
पूर्ण न्यूनतम धारा (सीडब्ल्यू या स्पंदित) 8 |
मैं भी शामिल |
0.2 |
A |
|
निरपेक्ष अधिकतम धारा (सीडब्ल्यू) 9 |
आईमैक्स |
365 एनएम- 18 ए 385-405 एनएम- 24 ए |
A |
|
निरपेक्ष अधिकतम उछाल धारा 9 (आवृत्ति > 240 हर्ट्ज़, कर्तव्य चक्र =10%, टी=1एमएस) |
है |
30 |
A |
|
अधिकतम जंक्शन तापमान 9 |
टीजेमैक्स |
125 |
डिग्री |
|
भंडारण तापमान रेंज |
टी |
-40 से +100 |
डिग्री |
|
उत्सर्जक क्षेत्र10 |
A e |
15.6 |
मिमी2 |
|
उत्सर्जक क्षेत्र आयाम |
3.4 x 4.6 |
मिमी × मिमी |





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